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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF121_未分类
IRF121
授权代理品牌

N沟道 耐压:60V 电流:8A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8A

未分类

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¥5.714962

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¥2.218236

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¥2.141745

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¥2.098036

库存: 1000 +

国内:1~2 天

耐压: 60V

电流: 8A

类型: N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 8A

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF121_晶体管-FET,MOSFET-单个
+70:

¥10.342306

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Harris Corporation

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: Chassis Mount

供应商器件封装: TO-204AA

封装/外壳: TO-204AA, TO-3

温度: -

IRF121参数规格

属性 参数值
耐压: 60V
电流: 8A
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 8A