IRFPC50PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFPC50PBF TO-247AC-3 下载数据手册未分类	+1：￥58.305786 +10：￥49.559906 +30：￥40.814026 +100：￥36.441086 +500：￥33.525833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFPC50PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.690214 +10：￥40.536694 +25：￥33.383174 +100：￥27.421867 +500：￥23.845107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.395285 +10：￥20.750886 +25：￥19.177359 +100：￥17.581977 +500：￥16.84985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFPC50PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 600V 11A 下载数据手册未分类	+1：￥29.317865 +10：￥26.673466 +30：￥25.099939 +100：￥23.504558 +500：￥22.772431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 600V 连续漏极电流(Id)： 11A 功率(Pd)： 180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 600mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.803039 +10：￥34.870612 +100：￥28.572357 +500：￥24.323135 +1000：￥21.978736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥94.922514 +10：￥85.302756 +100：￥69.895556 +500：￥59.500833 +1000：￥53.765811	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC 下载数据手册晶体管	+1：￥102.769087 +10：￥67.968108 +25：￥62.576407 +100：￥59.962251 +500：￥52.773315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+500：￥42.362618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPC50PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Single N-Channel 600 V 0.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC 下载数据手册未分类	+25：￥15.397041 +1000：￥15.204577 +1500：￥15.012115 +2000：￥15.012115 +2500：￥14.627189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFPC50PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）