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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IXFP5N100PM_未分类
IXFP5N100PM
Zilog(美国力特)
授权代理品牌
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￥84.369452

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￥33.666919

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￥32.54141

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￥31.984119

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
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IXFP5N100PM_晶体管-FET，MOSFET-单个
IXFP5N100PM
IXYS(艾赛斯.力特)
授权代理品牌
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￥52.602265

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￥47.487963

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￥34.237335

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￥29.819578

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： IXYS

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, Polar

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8Ohm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.4 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 42W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220 Isolated Tab

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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IXFP5N100PM_晶体管-FET，MOSFET-单个
IXFP5N100PM
IXYS(艾赛斯.力特)
授权代理品牌
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￥90.896538

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￥82.059041

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￥67.940659

+500：

￥59.161999

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￥51.528131

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： IXYS

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, Polar

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8Ohm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.4 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 42W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220 Isolated Tab

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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IXFP5N100PM_未分类
IXFP5N100PM
IXYS(艾赛斯.力特)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220

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未分类
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￥119.552602

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￥108.023751

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￥87.492921

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： IXYS

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, Polar

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8Ohm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.4 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 42W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220 Isolated Tab

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度： -55°C # 150°C (TJ)

IXFP5N100PM参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8Ohm 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33.4 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1830 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 42W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220 Isolated Tab
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
温度: -55°C # 150°C (TJ)