锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IXFP5N100PM4 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP5N100PM_未分类
IXFP5N100PM
授权代理品牌
+1:

¥84.369452

+200:

¥33.666919

+500:

¥32.54141

+1000:

¥31.984119

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP5N100PM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥42.604912

+10:

¥38.462611

+100:

¥31.845061

+500:

¥27.730339

+1000:

¥24.152201

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8Ohm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1830 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220 Isolated Tab

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP5N100PM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥104.222904

+10:

¥94.089738

+100:

¥77.901457

+500:

¥67.835755

+1000:

¥59.082683

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8Ohm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1830 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220 Isolated Tab

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP5N100PM_未分类
IXFP5N100PM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220

未分类

+1:

¥123.250249

+10:

¥111.364823

+50:

¥90.198994

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8Ohm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1830 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220 Isolated Tab

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

温度: -55°C # 150°C (TJ)

IXFP5N100PM参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8Ohm 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1830 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 42W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220 Isolated Tab
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
温度: -55°C # 150°C (TJ)