IPD30N06S4L23ATMA2厂家价格_数据手册

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	IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.829849 +10：￥3.299399 +30：￥3.023565 +100：￥2.821994 +500：￥2.631032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.843621	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD30N06S4L23ATMA2 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IPD30N06S4L23ATMA2 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.344891 +1000：￥1.167189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.783286	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.809509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.337878 +10：￥10.877707 +100：￥8.343349 +500：￥6.595898 +1000：￥5.276764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-11
IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.337878 +10：￥10.877707 +100：￥8.343349 +500：￥6.595898 +1000：￥5.276764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-11
IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 10µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-11 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1560 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 下载数据手册未分类	+1：￥14.894343 +10：￥13.185413 +100：￥10.112475 +500：￥7.995911 +1000：￥6.396729	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPD30N06S4L23ATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.051644 +5000：￥3.852979 +10000：￥3.707967 +25000：￥3.673163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD30N06S4L23ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1560 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）