IRLSL4030PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.993321 +200：￥29.161121 +500：￥23.3288 +1000：￥19.440707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.896082 +200：￥13.88856 +500：￥13.40776 +1000：￥13.16736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.651917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.73357 +10：￥18.60809 +25：￥17.59226 +100：￥14.073345 +250：￥13.291493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.719806 +10：￥45.520318 +25：￥43.03533 +100：￥34.427131 +250：￥32.514513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO262 下载数据手册未分类	+1：￥62.247708 +10：￥52.23703 +100：￥42.260381 +500：￥37.565288 +1000：￥32.165192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.3mOhm @ 110A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11360 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLSL4030PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管	+1000：￥37.443136 +2000：￥35.660129	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 110A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11360 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLSL4030PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥33.989516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLSL4030PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.3 毫欧 110A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11360 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-262
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）