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IPD70N12S3L12ATMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD70N12S3L12ATMA1
INFINEON(英飞凌)
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货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Mouser
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IPD70N12S3L12ATMA1_未分类
IPD70N12S3L12ATMA1
INFINEON(英飞凌)
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MOSFET N-CHANNEL_100+

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品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

艾睿
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IPD70N12S3L12ATMA1
授权代理品牌

OptiMOS -T Power-Transistor

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货期：7~10 天

 暂无参数

IPD70N12S3L12ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -