IPD900P06NMATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.974886 +10：￥7.983217 +30：￥6.652701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.712485 +10：￥18.969741 +30：￥17.33065	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.635732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.767645 +5000：￥2.635852 +12500：￥2.514179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.770391 +5000：￥6.447993 +12500：￥6.150349	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥16.407835 +10：￥13.38534 +100：￥10.416097 +500：￥8.828568 +1000：￥7.191957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 16.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 710µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-313 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1100 pF @ 30 V
IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥16.407835 +10：￥13.38534 +100：￥10.416097 +500：￥8.828568 +1000：￥7.191957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 16.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 710µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-313 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1100 pF @ 30 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD900P06NMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册未分类	+1：￥18.756537 +10：￥15.301386 +100：￥11.895593 +500：￥10.085753 +1000：￥8.210099	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 710µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD900P06NMATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.413729	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD900P06NMATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 16.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 710µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1100 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）