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IXTH75N10L2_未分类
IXTH75N10L2
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXTH75N10L2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥70.228664

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 400W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXTH75N10L2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥189.57

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¥171.797922

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 400W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTH75N10L2_未分类
IXTH75N10L2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 75A TO247

未分类

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¥265.572297

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¥234.049878

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¥227.680063

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¥215.103761

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 400W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTH75N10L2_未分类
IXTH75N10L2
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

未分类

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¥134.647488

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¥133.30315

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¥126.644274

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¥125.375318

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¥124.118926

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTH75N10L2参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Linear L2™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 400W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)