品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 73A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 73A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 73A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 73A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.6mOhm @ 73A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 75µA

Supplier Device Package： PG-TO220-3

Grade： -

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 55 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3980 pF @ 50 V

Qualification： -