IPL60R225CFD7AUMA1厂家价格_数据手册

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	IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.021079 +200：￥15.851 +500：￥12.6808 +1000：￥10.567293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.516104 +200：￥7.550744 +500：￥7.288489 +1000：￥7.157362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.3799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.837104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥31.402959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4 下载数据手册未分类	+1：￥49.470463 +10：￥44.422751 +100：￥36.390991 +500：￥30.979439 +1000：￥26.127309	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 225mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 240µA Supplier Device Package： PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V
IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4 下载数据手册未分类	+1：￥49.470463 +10：￥44.422751 +100：￥36.390991 +500：￥30.979439 +1000：￥26.127309	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 225mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 240µA Supplier Device Package： PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V

Mouser

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	IPL60R225CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1 下载数据手册未分类	+1：￥56.387526 +10：￥48.49656 +100：￥40.934384 +500：￥36.166926 +1000：￥35.344951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 225毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4-1 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPL60R225CFD7AUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	225毫欧 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1015 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	68W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-VSON-4-1
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）