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IXTP14N60P_未分类
IXTP14N60P
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国内:1~2 天

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IXTP14N60P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥30.814407

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTP14N60P_未分类
IXTP14N60P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220

未分类

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¥57.709682

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¥54.435373

+100:

¥47.20461

+500:

¥40.110275

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXTP14N60P参数规格

属性 参数值