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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.785848 +100：￥3.269662 +200：￥2.753355 +300：￥2.409231 +500：￥2.064986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.540435 +10：￥2.873872 +30：￥2.589763 +100：￥2.24009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2705TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 35A 下载数据手册未分类	+1：￥3.354672 +10：￥2.742745 +30：￥2.48049 +100：￥2.152672 +500：￥1.726509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.447708 +10：￥2.393072 +30：￥2.36029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.125002	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR2705TRPBF 授权代理品牌	IRLR2705TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.479445 +500：￥1.36565 +2000：￥1.251856 +6000：￥1.138061	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR2705TRPBF 授权代理品牌	IRLR2705TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥0.839279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR2705TRPBF 授权代理品牌	IRLR2705TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.837845 +10：￥1.791888 +30：￥1.745931 +50：￥1.699972 +80：￥1.654015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.242339 +6000：￥4.018916 +10000：￥3.721302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLR2705TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	880 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	68W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.540435 +10：￥2.873872 +30：￥2.589763 +100：￥2.24009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2705TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 35A 下载数据手册未分类	+1：￥3.354672 +10：￥2.742745 +30：￥2.48049 +100：￥2.152672 +500：￥1.726509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR2705TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.447708 +10：￥2.393072 +30：￥2.36029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）