锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IRFU9120PBF7 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFU9120PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFU9120PBF
授权代理品牌
+1:

¥9.673344

+10:

¥7.87968

+20:

¥6.489216

+40:

¥5.28408

+75:

¥4.03056

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251AA

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFU9120PBF_未分类
IRFU9120PBF
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA

未分类

+1:

¥8.556052

+10:

¥7.802071

+30:

¥7.332198

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251AA

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFU9120PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥11.837687

+10:

¥10.607102

+100:

¥8.52581

+500:

¥7.004835

+1000:

¥5.803945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251AA

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFU9120PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥20.455483

+10:

¥18.329038

+100:

¥14.73257

+500:

¥12.10433

+1000:

¥10.029197

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251AA

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFU9120PBF_未分类
IRFU9120PBF
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA

未分类

+1:

¥20.538349

+10:

¥18.683272

+100:

¥15.900658

+500:

¥13.780569

+1000:

¥10.706443

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251AA

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFU9120PBF_未分类
IRFU9120PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK

未分类

+1:

¥23.232426

+10:

¥18.819702

+25:

¥18.230952

+100:

¥14.852163

+250:

¥14.704252

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
IRFU9120PBF_未分类
IRFU9120PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK

未分类

+3000:

¥8.947601

+9000:

¥8.802132

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRFU9120PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251AA
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)