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自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF7807 授权代理品牌 | +5: ¥1.102561 +50: ¥0.953404 +150: ¥0.88948 +500: ¥0.809711 +3000: ¥0.774197 | 暂无参数 |
IRF7807参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 25 毫欧 7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |