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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	+1：￥23.958605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 11.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	+1000：￥18.396555 +2000：￥18.133748 +5000：￥16.819708 +10000：￥16.162758 +25000：￥15.768477	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 11.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	IDK02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	+1：￥38.81907 +10：￥34.823823 +25：￥32.8517 +100：￥25.623419 +250：￥24.966612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： - 系列： CoolSiC™+ 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1
	IDK02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： - 系列： CoolSiC™+ 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管与整流器	+：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 11.8A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

IDK02G120C5XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	在售
二极管类型:	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1200 V
电流 - 平均整流 (Io):	11.8A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.65 V 2 A
速度:	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	18 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容:	182pF 1V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	PG-TO263-2-1
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: