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IXTP64N10L2_未分类
IXTP64N10L2
授权代理品牌
+1:

¥92.477486

+200:

¥35.786809

+500:

¥34.530173

+1000:

¥33.907319

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IXTP64N10L2_未分类
IXTP64N10L2
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国内:1~2 天

封装/外壳: TO-220-3

Digi-Key
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IXTP64N10L2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-22

晶体管-FET,MOSFET-单个

+50:

¥129.533138

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3620 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 357W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTP64N10L2_晶体管
IXTP64N10L2
授权代理品牌

DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-22

晶体管

+300:

¥215.338713

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Linear L2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3620 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 357W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IXTP64N10L2_未分类
IXTP64N10L2
授权代理品牌
+1:

¥184.235952

+10:

¥105.542206

库存: 0

货期:7~10 天

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IXTP64N10L2参数规格

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