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	IPP060N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.24768 +10：￥12.16512 +40：￥10.1376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP060N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.931031 +10：￥19.111795 +40：￥16.685941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP060N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.040309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP060N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP060N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.438721 +50：￥15.590852 +100：￥12.828311 +500：￥10.854283 +1000：￥9.209718	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPP060N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥24.556425 +10：￥19.961998 +100：￥16.159712 +250：￥15.050712 +500：￥11.945514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPP060N06NAKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）