IPD70R1K4P7SAUMA1厂家价格_数据手册

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.202995 +10：￥2.938284 +30：￥2.885342 +100：￥2.726516	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.634365 +200：￥3.81029 +800：￥2.796915 +2500：￥2.02675 +5000：￥1.925473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.823925 +10：￥6.632853 +30：￥5.977217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.13444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.635773 +5000：￥1.522929 +12500：￥1.466534 +25000：￥1.41014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.001535 +5000：￥3.725487 +12500：￥3.587531 +25000：￥3.449576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.315715 +10：￥9.105338 +100：￥6.981676 +500：￥5.519322 +1000：￥4.415403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.315715 +10：￥9.105338 +100：￥6.981676 +500：￥5.519322 +1000：￥4.415403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥11.711033 +10：￥10.279686 +100：￥7.888683 +500：￥6.22962 +1000：￥4.993456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPD70R1K4P7SAUMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.163401 +5000：￥3.131794 +10000：￥3.083697 +12500：￥3.053465 +25000：￥3.030104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD70R1K4P7SAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 700mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	158 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	23W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 150°C（TJ）