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	IRFIZ34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥4.012112 +200：￥1.554431 +500：￥1.501916 +1000：￥1.48091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFIZ34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.425454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFIZ34NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFIZ34NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.358829 +300：￥2.260598 +4850：￥2.162261 +8050：￥2.122948 +16100：￥1.965691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFIZ34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+50：￥5.488726 +150：￥5.345608 +300：￥5.250085 +650：￥4.741857 +1500：￥4.489252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFIZ34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.786279 +10：￥12.29511 +100：￥9.584278 +500：￥7.917545 +1000：￥6.250672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.822644 +10：￥21.245909 +100：￥16.5616 +500：￥13.68149 +1000：￥10.801139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥26.860246 +10：￥24.105349 +100：￥18.871044 +500：￥15.565168 +1000：￥13.609192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ34NPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥7.048269 +10000：￥6.466698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFIZ34NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）