 | IRFH8318TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Ta), 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| IRFH8318TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Ta), 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| IRFH8318TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Ta), 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
![IRFH8318TRPBF_未分类]() | IRFH8318TRPBF | IRFH8318TRPBF VBSEMI/微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
| IRFH8318TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Ta), 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| IRFH8318TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Ta), 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
| IRFH8318TRPBF | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Ta), 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 20A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ) |
