IPN80R3K3P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.46596 +200：￥1.344372 +500：￥1.302361 +1000：￥1.270852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.655103	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.611919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+133：￥6.234071 +500：￥4.927963 +6000：￥3.945071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.120046 +10：￥8.065246 +100：￥6.066819 +500：￥4.795807 +1000：￥3.839297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.248847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.978932 +10：￥9.673016 +100：￥7.413668 +500：￥5.860439 +1000：￥4.688351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.978932 +10：￥9.673016 +100：￥7.413668 +500：￥5.860439 +1000：￥4.688351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管	+1：￥12.720526 +10：￥11.090708 +100：￥8.506852 +500：￥6.797531 +1000：￥5.445976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPN80R3K3P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 欧姆 590mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	120 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.611919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+133：￥6.234071 +500：￥4.927963 +6000：￥3.945071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.120046 +10：￥8.065246 +100：￥6.066819 +500：￥4.795807 +1000：￥3.839297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）