IRLML9303TRPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRLML9303TRPBF 共 16 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.597335 +10：￥0.573631 +100：￥0.516742 +500：￥0.488297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.3552 +200：￥1.013617 +800：￥0.785774 +3000：￥0.569426 +15000：￥0.512435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.199934 +10：￥12.782041 +30：￥11.889294 +100：￥10.975541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.12651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.440146 +1000：￥0.312403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.096674 +9000：￥1.037125 +15000：￥1.000033 +30000：￥0.958137 +60000：￥0.912778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9303TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML9303TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥13.491072 +1000：￥0.363312 +30000：￥0.353614 +48000：￥0.347185 +66000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.469828 +9000：￥1.399777 +15000：￥1.353189 +30000：￥1.307382 +60000：￥1.263588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9303TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML9303TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.385761 +100：￥0.379331 +1000：￥0.36974 +3000：￥0.347185 +10000：￥0.340755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.60289 +6000：￥0.589424 +9000：￥0.522038 +30000：￥0.515277 +75000：￥0.437835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML9303TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	165 毫欧 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	160 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.440146 +1000：￥0.312403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.096674 +9000：￥1.037125 +15000：￥1.000033 +30000：￥0.958137 +60000：￥0.912778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9303TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML9303TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥13.491072 +1000：￥0.363312 +30000：￥0.353614 +48000：￥0.347185 +66000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9303TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.469828 +9000：￥1.399777 +15000：￥1.353189 +30000：￥1.307382 +60000：￥1.263588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9303TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML9303TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.385761 +100：￥0.379331 +1000：￥0.36974 +3000：￥0.347185 +10000：￥0.340755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数