IRF7739L2TRPBF厂家价格_数据手册

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	IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥54.461514 +200：￥21.078704 +500：￥20.335649 +1000：￥19.97505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.09931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+4000：￥412.081317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8
IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8
IRF7739L2TRPBF International 授权代理品牌	DIRECTFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A (Ta), 375A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1mOhm 160A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET L8 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

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	IRF7739L2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF7739L2TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Ta），375A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 毫欧 160A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	330 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11880 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 L8
温度:	-55°C # 175°C（TJ）