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Digi-Key
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IXFT320N10T2-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+400:

¥209.812257

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 430 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1kW(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-268

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXFT320N10T2-TRL_未分类
IXFT320N10T2-TRL
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 320A TO268

未分类

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¥314.247509

+10:

¥288.643192

+25:

¥276.750478

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品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 430 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1kW(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-268

封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IXFT320N10T2-TRL_未分类
IXFT320N10T2-TRL
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R

未分类

+400:

¥235.699064

+2000:

¥233.337049

+4000:

¥231.012724

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¥216.086792

+8000:

¥213.925798

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IXFT320N10T2-TRL参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, TrenchT2™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 430 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1kW(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)