IRL1404STRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.191512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.815521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.434807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥11.034602 +1600：￥9.306296 +2400：￥8.840963 +5600：￥8.508548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥26.993559 +1600：￥22.765668 +2400：￥21.627336 +5600：￥20.814164	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.071991 +10：￥38.696424 +100：￥31.709189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.071991 +10：￥38.696424 +100：￥31.709189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404STRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥50.935385 +10：￥45.760997 +100：￥37.514316 +500：￥32.016527 +800：￥27.488938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404STRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥14.160036 +2400：￥13.722872 +4800：￥13.6491 +9600：￥13.345818	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL1404STRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）