IRF1404STRRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF1404STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.255001 +200：￥10.212521 +500：￥8.16992 +800：￥6.808307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 162A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF1404STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 162A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF1404STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 162A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF1404STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 162A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF1404STRRPBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4mOhm @ 95A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D2PAK Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7360 pF @ 25 V

Mouser

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	IRF1404STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 162A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF1404STRRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	162A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	200 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7360 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）