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	IXFT80N65X2HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV 下载数据手册未分类	+1：￥149.376141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFT80N65X2HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥102.907059 +10：￥94.576487 +100：￥79.878092 +500：￥71.057096 +1000：￥66.824904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT80N65X2HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥177.823054 +10：￥163.427855 +100：￥138.029077 +500：￥122.786424 +1000：￥115.473211	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT80N65X2HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV 下载数据手册未分类	+1：￥208.429935 +10：￥191.623203 +30：￥183.683015 +120：￥161.715161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXFT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFT80N65X2HV 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV 下载数据手册未分类	+30：￥132.857447 +50：￥131.626193 +100：￥109.817296 +250：￥107.171411	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFT80N65X2HV参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	890W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-268HV（IXFT）
封装/外壳:	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）