IXTA86N20T-TRL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T-TRL 授权代理品牌	N沟道 200V 86A 下载数据手册未分类	+1：￥29.786253 +200：￥11.532195 +500：￥11.122582 +800：￥10.923026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 200V 连续漏极电流(Id)： 86A 功率(Pd)： 550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 33mΩ@43A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T-TRL Zilog 授权代理品牌	IXTA86N20T-TRL 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-263

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	IXTA86N20T TRL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥57.378392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	IXTA86N20T TRL 下载数据手册未分类	+800：￥65.619535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTA86N20T-TRL参数规格

属性	参数值
类型:	N沟道
漏源电压(Vdss):	200V
连续漏极电流(Id):	86A
功率(Pd):	550W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):	33mΩ@43A,10V