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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.50604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册未分类	+500：￥7.530909 +1000：￥5.945337 +2000：￥5.549056 +5000：￥5.271536 +10000：￥5.073452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.487537 +10：￥7.562256 +100：￥5.897447 +500：￥4.871568 +1000：￥3.845968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.666436 +10：￥13.067554 +100：￥10.190768 +500：￥8.418054 +1000：￥6.64582	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥19.495776 +10：￥17.737961 +100：￥13.822825 +450：￥11.425804 +900：￥8.82104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAW60R600P7SXKSA1 授权代理品牌	600V CoolMOS P7 Power Transistor 下载数据手册未分类	+450：￥8.370092 +900：￥7.000287 +2700：￥6.417873 +10350：￥6.231273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPAW60R600P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	363 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	21W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）