IPAW60R600P7SXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.372521 +200：￥4.477121 +500：￥3.5816 +1000：￥2.984707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.50604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册未分类	+500：￥7.530909 +1000：￥5.945337 +2000：￥5.549056 +5000：￥5.271536 +10000：￥5.073452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.874433 +10：￥6.125008 +100：￥4.776605 +500：￥3.9457 +1000：￥3.115021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.816686 +10：￥14.98339 +100：￥11.68484 +500：￥9.652227 +1000：￥7.620166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPAW60R600P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥20.098762 +10：￥18.286579 +100：￥14.250352 +450：￥11.779193 +900：￥9.093867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPAW60R600P7SXKSA1 授权代理品牌	600V CoolMOS P7 Power Transistor 下载数据手册未分类	+450：￥8.241201 +900：￥6.892489 +2700：￥6.319044 +10350：￥6.135317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPAW60R600P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥7.252205 +10：￥6.134972 +50：￥5.537158 +100：￥4.988341 +200：￥4.802137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPAW60R600P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	363 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	21W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）