IRFPS37N50APBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFPS37N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥243.58752 +10：￥202.9896 +30：￥162.39168 +100：￥135.3264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFPS37N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册未分类	+1：￥95.701031 +10：￥92.040395 +30：￥85.713506 +100：￥76.316054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFPS37N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册未分类	+1：￥94.313267 +10：￥91.657941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFPS37N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFPS37N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFPS37N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IRFPS37N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFPS37N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5579 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： SUPER-247™（TO-274AA）封装/外壳： TO-274AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFPS37N50APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	130 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	180 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5579 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	446W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	SUPER-247™（TO-274AA）
封装/外壳:	TO-274AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）