IPW60R145CFD7XKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.6872 +10：￥31.18412 +30：￥25.68104 +100：￥22.9295 +500：￥21.09514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：标准功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.552494 +10：￥60.570282 +30：￥55.707435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：标准功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

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	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.3444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：标准功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

自营国内现货

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	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.196285 +10：￥28.933295 +100：￥23.70709 +500：￥20.181326 +1000：￥17.020345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：标准功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥78.760644 +10：￥70.778504 +100：￥57.993822 +500：￥49.36887 +1000：￥41.636272	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：标准功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -
	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册未分类	+1：￥74.488166 +10：￥66.861017 +100：￥54.781039 +500：￥46.63453 +1000：￥39.330438	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： - Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： - Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： - Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： - FET Feature： Standard Power Dissipation (Max)： - Vgs(th) (Max) @ Id： - Supplier Device Package： - Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： - Vgs (Max)： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER 下载数据手册未分类	+1：￥72.753478 +10：￥61.008523 +25：￥57.58291 +100：￥49.42669 +240：￥46.653576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：标准功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R145CFD7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥40.204531 +250：￥40.129148 +500：￥35.86998 +1000：￥32.527978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW60R145CFD7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	标准
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-