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IRFD9220PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFD9220PBF
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¥13.736041

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¥9.15728

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¥7.631107

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFD9220PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFD9220PBF_未分类
IRFD9220PBF
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MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

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¥5.641482

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品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFD9220PBF_未分类
IRFD9220PBF
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MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

未分类

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¥25.919723

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¥19.186517

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFD9220PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFD9220PBF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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¥15.523546

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¥13.953617

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¥11.216201

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¥9.215011

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¥7.635242

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥22.961434

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¥22.135484

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¥21.144343

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货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

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零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 4-HVMDIP

封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IRFD9220PBF
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Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP

未分类

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¥18.584935

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货期:7~10 天

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IRFD9220PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 560mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 340mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: 4-HVMDIP
封装/外壳: 4-DIP(0.300,7.62mm)
温度: -55°C # 150°C(TJ)