IPP80R1K4P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.012186 +10：￥39.110346 +30：￥32.208506 +100：￥28.757586 +500：￥26.457013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.328663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.943179 +50：￥6.367393 +100：￥5.045671 +500：￥4.276702 +1000：￥3.483844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.43112 +50：￥15.576329 +100：￥12.343048 +500：￥10.461944 +1000：￥8.522405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPP80R1K4P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220 下载数据手册晶体管	+1：￥16.659517 +10：￥12.902959 +100：￥11.318673 +500：￥10.469364 +1000：￥9.162735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPP80R1K4P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥11.333823 +1000：￥10.36435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.12981 +10：￥9.792985 +100：￥9.100394 +500：￥8.730701 +1000：￥8.148863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP80R1K4P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+42：￥7.221339 +50：￥7.088021 +100：￥6.834913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP80R1K4P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+10：￥7.158711 +100：￥6.036658 +500：￥5.910089 +1000：￥5.77275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP80R1K4P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	250 pF 500 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	32W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）