IPA70R360P7SXKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPA70R360P7SXKSA1 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.187353 +100：￥7.619128 +200：￥5.906978 +500：￥4.280375 +1000：￥4.066326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.35196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.988438 +50：￥4.000752 +500：￥3.625682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.54342 +10：￥8.533593 +100：￥6.653762 +500：￥5.496788 +1000：￥4.339593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.345734 +10：￥20.87543 +100：￥16.276862 +500：￥13.446601 +1000：￥10.615795	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥18.4888 +10：￥15.120686 +100：￥11.761169 +500：￥9.969047 +1000：￥8.121025	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 360mOhm @ 3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 150µA Supplier Device Package： PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 517 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥14.581776 +10：￥12.664846 +100：￥10.960909 +500：￥10.076171 +1000：￥8.912907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 517 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥10.723404 +10：￥9.930063 +100：￥9.089779 +500：￥8.718927 +1000：￥8.393455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA70R360P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+11：￥5.672944 +100：￥5.192898 +500：￥4.981034 +1000：￥4.795094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA70R360P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	517 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	26.4W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）