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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP042N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.441319 +200：￥28.7012 +500：￥22.96096 +1000：￥19.134093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP042N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.690258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP042N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.352019 +50：￥6.706146 +100：￥5.314337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP042N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.431251 +50：￥16.40501 +100：￥13.000277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP042N03LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥23.355989 +10：￥18.782788 +100：￥14.862902 +500：￥13.08262 +1000：￥11.237008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP042N03LGXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥9.223241 +1000：￥7.511713 +2500：￥7.212676 +10000：￥6.993569	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP042N03LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 70 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP042N03LGXKSA1 下载数据手册未分类	+10：￥9.06093 +20：￥8.970284 +30：￥8.520637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP042N03LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 70 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP042N03LGXKSA1 下载数据手册未分类	+50：￥9.06093 +250：￥8.15448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP042N03LGXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.2 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3900 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	79W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）