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	IRF5803TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET TSOP6 P-Channel ID=4A 下载数据手册未分类	+1：￥0.783823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.069528 +200：￥2.075755 +800：￥1.523753 +3000：￥1.104125 +6000：￥1.048949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.315512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.746162 +10：￥1.694763 +30：￥1.646143 +100：￥1.597523 +500：￥1.551681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.221946 +10：￥1.987989 +30：￥1.57877 +100：￥1.380005 +300：￥1.262969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.957775 +50：￥1.491454 +1500：￥1.351427 +3000：￥1.214858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF 授权代理品牌	IRF5803TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+100：￥1.375259 +300：￥1.352338 +500：￥1.317956 +1000：￥1.295035	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥1.313719 +200：￥1.172721 +1000：￥1.148843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.555848 +100：￥1.516952 +500：￥1.478056 +1000：￥1.452125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.121759 +6000：￥1.064723 +9000：￥0.988676 +30000：￥0.965849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF5803TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	112 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1110 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.746162 +10：￥1.694763 +30：￥1.646143 +100：￥1.597523 +500：￥1.551681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.221946 +10：￥1.987989 +30：￥1.57877 +100：￥1.380005 +300：￥1.262969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.957775 +50：￥1.491454 +1500：￥1.351427 +3000：￥1.214858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF 授权代理品牌	IRF5803TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+100：￥1.375259 +300：￥1.352338 +500：￥1.317956 +1000：￥1.295035	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥1.313719 +200：￥1.172721 +1000：￥1.148843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.555848 +100：￥1.516952 +500：￥1.478056 +1000：￥1.452125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）