IRF7458PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.065721 +200：￥3.388121 +500：￥2.7104 +1000：￥2.258707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.56913 +10：￥2.855318 +100：￥2.64114 +500：￥2.498378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMPS HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.731038 +10：￥6.984863 +100：￥6.460929 +500：￥6.111694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V, 16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8mOhm 14A, 16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IRF7458PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.731038 +10：￥6.984863 +100：￥6.460929 +500：￥6.111694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7458PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V，16V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 14A，16V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2410 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）