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IPP024N06N3GXKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPP024N06N3GXKSA1
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¥15.697693

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

自营 现货库存
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IPP024N06N3GXKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

Digi-Key
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IPP024N06N3GXKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥47.805121

库存: 0

货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

IPP024N06N3GXKSA1_未分类
IPP024N06N3GXKSA1
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MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

未分类

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¥32.105172

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 250W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA

Supplier Device Package: PG-TO220-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

Mouser
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IPP024N06N3GXKSA1
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MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

未分类

+500:

¥59.073976

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货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: PG-TO220-3

IPP024N06N3GXKSA1参数规格

属性 参数值
系列: OptiMOS™
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3