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IRFB3407ZPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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IRFB3407ZPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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IRFB3407ZPBF
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MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

自营 国内现货
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

Digi-Key
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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

IRFB3407ZPBF_未分类
IRFB3407ZPBF
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MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,散装

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.4 毫欧 75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4750 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 230W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IRFB3407ZPBF_未分类
IRFB3407ZPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

未分类

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¥25.66893

+500:

¥22.499927

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

艾睿
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IRFB3407ZPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

未分类

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¥13.183057

库存: 0

货期:7~10 天

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IRFB3407ZPBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220AB