IPN70R2K0P7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.145921 +6000：￥1.087631 +9000：￥1.009952 +30000：￥0.986648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.803225 +6000：￥2.660635 +9000：￥2.47061 +30000：￥2.413603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.286801 +10：￥7.100932 +100：￥4.940649 +500：￥3.857936 +1000：￥3.135841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.286801 +10：￥7.100932 +100：￥4.940649 +500：￥3.857936 +1000：￥3.135841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥9.30973 +10：￥7.823441 +100：￥5.651169 +500：￥4.409872 +1000：￥3.593229	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN70R2K0P7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	130 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）