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IRFM460参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 袋 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 270 毫欧 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 190 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4300 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 250W(Tc) |
工作温度: | - |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-254AA |
封装/外壳: | TO-254-3,TO-254AA(直引线) |
温度: | - |