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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.995367 +100：￥2.755727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFU110PBF TO-251 下载数据手册未分类	+1：￥12.096144 +10：￥9.744336 +20：￥6.84 +40：￥5.222592 +75：￥3.615984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

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	IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.829853 +10：￥4.108654 +30：￥3.748054 +75：￥3.387454 +525：￥3.179836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFU110PBF 授权代理品牌	IRFU110PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.539178 +25：￥1.500745 +50：￥1.462196 +100：￥1.423763 +200：￥1.398063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.139479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU110PBF 授权代理品牌	IRFU110PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.539178 +30：￥1.475046 +200：￥1.410913 +4000：￥1.385215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.05734 +10：￥6.58135 +100：￥5.116055 +500：￥4.336703 +1000：￥3.53268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.923056 +10：￥11.37255 +100：￥8.840525 +500：￥7.493809 +1000：￥6.10446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU110PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 下载数据手册	+1：￥12.062444 +10：￥10.323573 +100：￥8.584701 +500：￥7.676101 +1000：￥6.532518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU110PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥6.960593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU110PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	540 毫欧 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251AA
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）