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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH1N170DHV Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥211.409893 +210：￥84.358524 +510：￥81.539289 +990：￥80.151525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH1N170DHV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV 下载数据手册未分类	+1：￥154.86453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 欧姆 500mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH1N170DHV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥243.46841 +10：￥223.790254 +100：￥188.998102 +500：￥168.127551 +1000：￥158.113709	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 欧姆 500mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH1N170DHV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV 下载数据手册未分类	+1：￥314.407548 +10：￥293.664817 +30：￥269.492183 +60：￥259.692468 +120：￥244.502908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 欧姆 500mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTH1N170DHV参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 欧姆 500mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3090 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	290W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247HV
封装/外壳:	TO-247-3 变式
温度:	-55°C # 150°C（TJ）