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IRLMS6702TR参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 200 毫欧 1.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 700mV 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.8 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 210 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Micro6™(SOT23-6) |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
温度: | - |