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搜索 IRF7842PBF 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7842PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.6324 +200：￥10.527 +500：￥8.4216 +1000：￥7.018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7842PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.837834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7842PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.942094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7842PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.573102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7842PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7842PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A 8SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7842PBF参数规格

属性	参数值
系列:	HEXFET®
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SO