IXFA12N65X2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA12N65X2 授权代理品牌	N沟道耐压:650V 电流:12A 下载数据手册未分类	+1：￥17.297868 +200：￥6.698417 +500：￥6.468944 +1000：￥6.348744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 650V 连续漏极电流(Id)： 12A 功率(Pd)： 180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 310mΩ@6A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA12N65X2 Zilog 授权代理品牌	IXFA12N65X2 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.955595 +10：￥20.97571 +100：￥16.968031 +500：￥15.082996 +1000：￥12.914757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.047998 +10：￥51.312145 +100：￥41.508299 +500：￥36.897004 +1000：￥31.592917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA 下载数据手册未分类	+1：￥72.598036 +10：￥65.321696 +50：￥53.414958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFA12N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	310 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1134 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（IXFA）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）