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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.499748 +10：￥3.365373 +40：￥2.609123 +75：￥1.890625 +150：￥1.796124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册未分类	+1：￥3.540435 +10：￥2.895727 +30：￥2.567908 +75：￥2.251018 +525：￥2.054327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.050345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.587497 +10：￥6.793729 +100：￥5.298408 +500：￥4.37717 +1000：￥3.455639	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.561027 +10：￥16.61926 +100：￥12.961309 +500：￥10.707716 +1000：￥8.453407	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFU5410PBF International 授权代理品牌	IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+585：￥7.281635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 205mOhm @ 7.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 760 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU5410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥18.116864 +10：￥15.978749 +100：￥12.469626 +500：￥10.706904 +1000：￥9.270613	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 205 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 66W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU5410PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥5.200172 +5000：￥5.148372 +9000：￥5.116715	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU5410PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	205 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	58 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	760 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	66W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）