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	IXFX180N15P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+1：￥152.731628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX180N15P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥240.123681 +10：￥220.710316 +100：￥186.397576 +500：￥165.813555 +1000：￥155.937545	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX180N15P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+1：￥244.674907 +10：￥224.794184 +30：￥215.421842 +120：￥189.860912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX180N15P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 下载数据手册未分类	+30：￥160.48697 +50：￥159.003846 +100：￥140.161716 +250：￥138.833353 +500：￥123.292787	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFX180N15P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PLUS247™-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）