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IPA80R460CEXKSA2_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥10.719632

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 460 毫欧 7.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 680µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 34W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3-31

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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IPA80R460CEXKSA2_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPA80R460CEXKSA2
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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 460 毫欧 7.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 680µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 34W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3-31

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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IPA80R460CEXKSA2_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 460 毫欧 7.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 680µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 34W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3-31

封装/外壳: TO-220-3 整包

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IPA80R460CEXKSA2_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

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系列: CoolMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.8A(Ta)

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC 10 V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 100 V

FET 功能: -

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工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

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封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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IPA80R460CEXKSA2_晶体管
IPA80R460CEXKSA2
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MOSFET N-CH 800V TO-220-3

晶体管

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 460 毫欧 7.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 680µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

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功率耗散(最大值): 34W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

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供应商器件封装: PG-TO220-3-31

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IPA80R460CEXKSA2_未分类
IPA80R460CEXKSA2
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Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

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场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 10.8A, TO-220FP-3

未分类

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IPA80R460CEXKSA2
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MOSFET, N-CH, 800V, 10.8A, TO-220FP-3

未分类

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¥18.439017

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IPA80R460CEXKSA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 460 毫欧 7.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 680µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 34W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
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供应商器件封装: PG-TO220-3-31
封装/外壳: TO-220-3 整包
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