IRLR8743PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.062759 +200：￥15.0524 +500：￥12.04192 +1000：￥10.034893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.521723 +200：￥7.168289 +500：￥6.916962 +1000：￥6.796762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.26095 +10：￥3.177944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR8743PBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR8743PBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.202078 +1000：￥1.144892 +1500：￥1.089094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLR8743PBF International 授权代理品牌	IRLR8743 - HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4880 pF @ 15 V

Mouser

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	IRLR8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR8743PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 160 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚下载数据手册未分类	+75：￥13.343976 +375：￥12.010152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLR8743PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4880 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	135W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）